Kao što se zna iz fizike, na električna svojstva poluprovodnika može se uticati dopiranjem, tj. namernim dodavanjem određenih primesa u procesu njiho- ve proizvodnje. U zavisnosti od toga koja primesa je dodata, poluprovodnik postaje r ili p tipa. U poluprovodniku r tipa električna struja se formira od pozitiv- nih nosilaca- šupljina, tj. popunjavanjem elektronskog omotača atoma, koji imaju manjak elektrona, perifernim elektronima susednih atoma. U poluprovodniku p tipa struju formiraju negativni nosioci - slobodni elektroni.
Kada se u jednom komadu poluprovodničkog materijala spoje jedna do druge r i p provodna zona, površina njihovog dodira naziva se rp spoj, a čitava konstrukci- ja sa metalnim priključcima predstavlja poluprovodničku diodu. Osnovna osobina svakog rp spoja, pa prema tome i diode, jeste njegovo ispravljačko svojstvo. Naime, kada se dioda priključi na naizmenični napon (dakle, napon čija se vred- nost i polaritet menjaju tokom vremena), ona propušta struju samo kada joj je anoda (tj. r sloj) na višem naponu nego katoda (l sloj). U obrnutom slučaju, kada je napon anoda-katoda negativan, dioda je negativno polarisana i kroz nju teče zanemarljivo mala struja. Za provođenje diode neophodno je da napon anoda-kato- da dostigne određenu graničnu vrednost koja se naziva napon praga. Napon praga za silicijumske diode iznosi oko 0,6 V; a za germanijumske oko 0,2 V.
Poluprovodničke diode se konstrukciono izvode kao diode sa tačkastim spojem (tačkaste diode) i diode sa površinskim spojem (slojne diode).
Tačkaste diode se dosta primenjuju za ispravljanje (detekciju) visokofre- kventnih signala, gde pokazuju odlična svojstva zbog malog napona praga i brzog ra- da. Zbog male površine rp spoja ne smeju se opteretiti većim strujama. Slojne diode se primenjuju za veće struje i niže frekvencije, a prave se gotovo isključivo od silicijuma. Pored ovih navedenih tipova postoje još i Zenerove, tunelske, foto-diode itd.
Нема коментара:
Постави коментар